去除多晶硅中金属杂质的方法专利登记公告

专利名称：去除多晶硅中金属杂质的方法

摘要：一种去除多晶硅中金属杂质的方法，具体步骤如下：将工业硅投入坩埚；降低炉膛内压力至10Pa以下；启动加热装置，将工业硅全部融化后，缓慢调低加热温度至熔融的工业硅的温度保持在1420℃～1421℃之间；向炉膛内充入保护气体；将石墨气冷装置插入熔融的工业硅中，向石墨气冷装置中通入保护气体，当石墨气冷装置表面的多晶硅的厚度为20mm～50mm时，将石墨气冷装置取出；将取石墨气冷装置上的硅敲下至盛放容器中；反复提取至石墨气冷装置用于析出多晶硅的部分不能完全插入熔融的工业硅中。优点是：耗能少、生产效率高、生产成本低、

专利类型：发明专利

专利号：CN201210119563.3

专利申请（专利权）人：锦州新世纪石英（集团）有限公司

专利发明（设计）人：张海霞;张海军;车永军;田鹏

主权项：一种去除多晶硅中金属杂质的方法，其特征是：1）、将高纯度石墨坩埚放入炉膛内，将工业硅投入坩埚，所述的工业硅的投入量为坩埚容积的90%～100%；2）、关闭炉盖，启动真空泵将炉膛内的空气抽出，降低炉膛内压力至10Pa以下；3）、启动加热装置，将工业硅全部融化后，缓慢调低加热温度至熔融的工业硅的温度保持在1420℃～1421℃之间；4）、关闭真空泵，打开进气阀，向炉膛内充入保护气体，使炉膛内的气压与大气压相同；5）、将石墨气冷装置插入熔融的工业硅中，向石墨气冷装置中通入保护气体，多晶硅析出并包裹在石墨气冷装置

专利地区：辽宁