一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备专利登记公告

专利名称：一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备

摘要：本发明涉及一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备。该设备进料腔、石墨坩埚、水冷坩埚依次排列，高度逐渐降低；石墨坩埚使用石墨隔离带将坩埚分为熔化区与蒸发区，坩埚为整体加热，加热可使用石墨加热器或中频加热，结构简单；块状或粉末状硅原料由进料腔加入到石墨坩埚进行熔化，当硅水液面高于石墨隔离带后，硅水从熔化区流入到蒸发区；流经蒸发区的硅水流入到水冷坩埚内，完成浇铸。该设备可以在高真空条件下连续熔炼，去除硅中的O、P、N、S、Al、Ca等挥发性杂质。本发明具有高真空、高温、连续熔炼的技术特点，拥有能耗低、无耗材、

专利类型：发明专利

专利号：CN201210131540.4

专利申请（专利权）人：中国科学院福建物质结构研究所

专利发明（设计）人：吕佩文;黄丰;董建平;颜峰岥;林璋;黄嘉魁;黄顺乐

主权项：一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备，包括进料腔、石墨坩埚、水冷坩埚、石墨隔离带、真空腔、二级真空、熔化区、蒸发区、加热器、倾斜机构，其特征在于：石墨坩埚为整体加热，加热可使用石墨加热器加热或中频感应加热。

专利地区：福建