一种硫钝化与快速热退火二步法处理n-GaSb衬底的方法专利登记公告
专利名称：一种硫钝化与快速热退火二步法处理n-GaSb衬底的方法
摘要：本发明提出了一种硫钝化与快速热退火二步法处理GaSb衬底的方法，采用硫钝化与快速热退火结合处理GaSb衬底，能更大程度降低n型GaSb表面复合率，改善n型GaSb表面的电学特性，使具有稳定的界面，提高n型GaSb基半导体激光器器件的可靠性。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210120413.4
专利申请（专利权）人：长春理工大学
专利发明（设计）人：陈芳;李占国;刘国军;魏志鹏;马晓辉;徐莉;周璐;张晶;李梅;安宁;王博;张升云;田珊珊;高娴;刘超;单少杰;孙鹏;刘晓轩
主权项：本发明提出了一种硫钝化与快速热退火二步法处理n型GaSb衬底的方法：其特征在于，采用硫钝化处理和快速热退火二步法处理n型GaSb衬底：依次将n型GaSb材料用丙酮、乙醇、IPA超声波、去离子水清洗，再用N2吹干，然后放入S2Cl2溶液中浸泡10?20s，紧接着用CCl4冲洗，再用丙酮、乙醇、去离子水清洗，最后用N2吹干，完成硫化过程。将硫化后的n?GaSb材料进行快速热退火处理，退火温度520±5℃，退火时间30s后降至室温完成退火过程。
专利地区：吉林
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