一种Mn离子催化腐蚀制备“黑硅”的方法专利登记公告

专利名称：一种Mn离子催化腐蚀制备“黑硅”的方法

摘要：本发明涉及一种低成本制备“黑硅”的方法。其特征在于：本发明首先使用丙酮、乙醇和超纯水依次对单晶硅片进行超声清洗，以去除硅片表面油污和金属离子；然后将硅片放入高浓度的NaOH溶液中腐蚀数分钟，以去除表面损伤层；接着将硅片放入低浓度的NaOH溶液中腐蚀数十分钟从而在硅片表面形成金字塔状结构；最后将其置于HF、锰盐(Mn(NO3)2、或Mn(NO3)3、K2MnO4以及KMnO4中任一种）和超纯水的混合溶液中进行化学腐蚀以在金字塔上制备减反射纳米微结构“黑硅”。该发明无需复杂设备，制备工艺简单，制备成本低，并可

专利类型：发明专利

专利号：CN201210140097.7

专利申请（专利权）人：南京航空航天大学

专利发明（设计）人：沈鸿烈;岳之浩;蒋晔

主权项：一种低成本制备“黑硅”的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)?首先用丙酮、乙醇和超纯水依次对单晶硅片各超声清洗10min；(2)?然后将硅片放入质量分数为25%的NaOH溶液中，在85℃下腐蚀5min；(3)将硅片放入NaOH溶液中，在水浴环境下腐蚀从而在硅片表面形成金字塔状结构；(4)?随后将其置于HF、锰盐和超纯水的混合溶液中进行化学腐蚀以在金字塔上制备纳米微结构，即“黑硅”；(5)?最后用超纯水对样品进行冲洗，去除杂质。

专利地区：江苏