于积层电子元件上形成端电极的方法专利登记公告

专利名称：于积层电子元件上形成端电极的方法

摘要：本发明提供一种于积层电子元件上形成端电极的方法，先提供积层电子元件，接着，藉由第一被覆制程，于积层电子元件的一侧表面上选择性地被覆第一金属层，且覆盖积层电子元件的外电极，最后，藉由第二被覆制程，于积层电子元件的该侧表面上选择性地被覆第二金属层，且覆盖第一金属层，即完成端电极，本发明的形成端电极的方法具有高可靠度、低成本、高解析度等优点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210120684.X

专利申请（专利权）人：苏州达方电子有限公司;达方电子股份有限公司

专利发明（设计）人：吴旻修;萧朝光;罗立伟

主权项：一种于积层电子元件上形成端电极的方法，其特征在于，包含下列步骤：提供该积层电子元件，其中该积层电子元件包含多层内电极层、多层绝缘层以及外电极，该多层内电极层与该多层绝缘层交互穿插形成，该外电极形成于该积层电子元件的一侧表面上且与该多层内电极层电连接；藉由第一被覆制程，于该积层电子元件的该侧表面上选择性地被覆第一金属层，且覆盖该外电极，其中该第一被覆制程选自由化学气相沉积制程、溅镀制程、蒸镀制程、网印制程以及沾附制程的其中之一；以及藉由第二被覆制程，于该积层电子元件的该侧表面上选择性地被覆第二金属层，且覆盖

专利地区：江苏