制造积层电容器的方法专利登记公告

专利名称：制造积层电容器的方法

摘要：本发明提供一种制造积层电容器的方法，先交互穿插形成多层介电层、多层第一内电极层以及多层第二内电极层，以形成积层体，接着，于积层体的顶表面上，形成第一端电极，且电连接多层第一内电极层，最后，于积层体之顶表面上，形成第二端电极，且电连接多层第二内电极层，本发明的方法所制造的积层电容器适用于焊接在LGA焊垫上，利于提升具有LGA焊垫的电路板上电子元件的密度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210121246.5

专利申请（专利权）人：苏州达方电子有限公司;达方电子股份有限公司

专利发明（设计）人：吴旻修;萧朝光;罗立伟

主权项：一种制造积层电容器的方法，其特征在于，包含下列步骤：交互穿插形成多层介电层、多层第一内电极层以及多层第二内电极层，以形成积层体，其中该多层第一内电极层电连接在一起，该多层第二内电极层电连接在一起，相邻的第一内电极层与第二内电极层由一层介电层隔离；于该积层体的顶表面上，形成第一端电极，且电连接该多层第一内电极层；以及于该积层体的该顶表面上，形成第二端电极，且电连接该多层第二内电极层。

专利地区：江苏