一种砷化镓场效应管温度影响模型的建立方法专利登记公告

专利名称：一种砷化镓场效应管温度影响模型的建立方法

摘要：一种砷化镓场效应管温度影响模型的建立方法，该方法有六大步骤：步骤1：建立能够反映GaAs?FET物理结构的等效电路图；步骤2：确定等效电路模型元件与物理结构的关系；步骤3：研究确定模型元件受温度影响的物理机制；步骤4：建立模型元件与温度之间的函数关系；步骤5：GaAs?FET等效电路模型在微波EDA软件中的实现；步骤6：模拟GaAs?FET关键性能参数随温度的变化关系。本发明能够仿真砷化镓场效应管性能参数与其物理结构之间的关系，能够预测温度对砷化镓场效应管性能参数的影响，方便器件设计人员进行结构设计和工艺

专利类型：发明专利

专利号：CN201210122944.7

专利申请（专利权）人：北京航空航天大学

专利发明（设计）人：张超;付桂翠;谷瀚天;张栋

主权项：一种砷化镓场效应管温度影响模型的建立方法，其特征在于：该方法具体步骤如下：步骤1：建立能够反映GaAs?FET物理结构的等效电路图；以GaAs?FET的结构组成、材料属性、工艺参数、工作原理信息为输入，建立能够反映GaAs?FET物理结构的等效电路图，等效电路图中包含与偏置有关的本征元件和与偏置无关的寄生元件；步骤2：确定等效电路模型元件与物理结构的关系；将等效电路模型中的本征元件和寄生元件表征为以器件几何尺寸和材料属性为自变量的函数表达式；步骤3：研究确定模型元件受温度影响的物理机制；依据模型元件与Ga

专利地区：北京