发光二极管封装构造专利登记公告

专利名称：发光二极管封装构造

摘要：本发明公开一种发光二极管封装构造，其包含一载板、一第一色光发光二极管芯片及数个第二色光发光二极管芯片。所述载板具有一第一芯片承载部及数个第二芯片承载部，所述第二芯片承载部排列于所述第一芯片承载部周围，且所述第一芯片承载部具有一下沉结构，其深度不小于所述第一色光发光二极管芯片的高度。所述第一色光发光二极管芯片设于所述第一芯片承载部的下沉结构中，幷且所述第二色光发光二极管芯片分别设于所述第二芯片承载部上。所述下沉结构可降低所述第二色光发光二极管芯片的放射光被所述第一色光二极体芯片阻挡或吸收的机率，因而提高发光

专利类型：发明专利

专利号：CN201210125982.8

专利申请（专利权）人：日月光半导体制造股份有限公司

专利发明（设计）人：陈盈仲

主权项：一种发光二极管封装构造，其特征在于：所述发光二极管封装构造包含：一载板，具有一第一芯片承载部及数个第二芯片承载部，所述第二芯片承载部排列于所述第一芯片承载部周围，且所述第一芯片承载部具有一下沉结构；一第一色光发光二极管芯片，设于所述第一芯片承载部的下沉结构内，其中所述下沉结构的深度不小于所述第一色光发光二极管芯片的高度；以及数个第二发光二极管芯片，分别设于所述第二芯片承载部上。

专利地区：台湾