半导体发光二极管器件及其形成方法专利登记公告

专利名称：半导体发光二极管器件及其形成方法

摘要：本发明提供了一种半导体发光二极管器件及其形成方法，所述器件包括：有源层；P型半导体层和N型半导体层，分别位于所述有源层的两侧；与所述P型半导体层电性连接的正电极焊接层；与所述N型半导体层电性连接的负电极焊接层；所述正电极焊接层和/或负电极焊接层的材料为铝合金材料。本发明能够更好地满足LED器件对电极焊接层的需求，能够提高在大电流下的抗电迁移性，提升器件的热稳定性，与常规的铝材料相比提高器件使用寿命，并有利于产业化成本的控制。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210130161.3

专利申请（专利权）人：杭州士兰明芯科技有限公司

专利发明（设计）人：张昊翔;金豫浙;封飞飞;万远涛;高耀辉;李东昇;江忠永

主权项：一种半导体发光二极管器件，包括：有源层；P型半导体层和N型半导体层，分别位于所述有源层的两侧；与所述P型半导体层电性连接的正电极焊接层；与所述N型半导体层电性连接的负电极焊接层；其特征在于，所述正电极焊接层和/或负电极焊接层的材料为铝合金材料。

专利地区：浙江