一种基于绝缘体上硅的高压隔离结构专利登记公告

专利名称：一种基于绝缘体上硅的高压隔离结构

摘要：一种基于绝缘体上硅的高压隔离结构，包括：在绝缘体上硅结构中的N型外延层上设有表面钝化层，N型外延层中设有高压电路区域、多深槽隔离结构以及低压电路区域，高压电路区域被多深槽隔离结构所包围，所述多深槽隔离结构由2～20个深槽隔离结构组成，其特征在于，在表面钝化层上设有高阻多晶硅场板，在高压电路区域和低压电路区域的N型外延层上均电连接有电极接触孔，在各个相邻的深槽隔离结构之间的N型外延层及各个深槽隔离结构上均电连接有中间电极接触孔，所述高阻多晶硅场板的两端分别与高、低压区中的电极接触孔电连接，并且，所述高阻多晶

专利类型：发明专利

专利号：CN201210133735.2

专利申请（专利权）人：东南大学

专利发明（设计）人：孙伟锋;祝靖;林颜章;钱钦松;陆生礼;时龙兴

主权项：一种基于绝缘体上硅的高压隔离结构，包括：P型衬底(10)，在P型衬底(10)上设有埋氧层(11)，在埋氧层(11)上方是N型外延层(12)，在N型外延层(12)上设有表面钝化层(13)，N型外延层(12)中设有高压电路区域(21)和低压电路区域(23)，高压电路区域(21)被多深槽隔离结构(50)所包围，低压电路区域(23)位于多深槽隔离结构(50)外侧，所述多深槽隔离结构(50)由2～20个深槽隔离结构组成，其特征在于，在表面钝化层(13)上设有高阻多晶硅场板，在高压电路区域(21)和低压电路区域(23

专利地区：江苏