栅极隔离结构制造方法、栅极隔离结构以及半导体器件专利登记公告

专利名称：栅极隔离结构制造方法、栅极隔离结构以及半导体器件

摘要：本发明提供了一种栅极隔离结构制造方法、栅极隔离结构以及半导体器件。根据本发明的栅极隔离结构制造方法包括：在衬底上形成多个栅极；在形成了所述多个栅极的硅片表面形成保护层；在保护层上形成无定性碳层；对所述无定性碳层进行刻蚀，以便使得所述多个栅极的上部暴露出来；在暴露了所述多个栅极的上部的结构上形成氮化硅层，所述氮化硅层覆盖了暴露的栅极；对所述氮化硅层进行刻蚀，从而在所述多个栅极的侧面形成一个翼形侧壁结构，并且使得相邻的两个栅极中间的无定性碳层的至少一部分暴露出来；在氮化硅层刻蚀步骤之后去除剩余的无定性碳层；以

专利类型：发明专利

专利号：CN201210170339.7

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：肖海波

主权项：一种栅极隔离结构制造方法，其特征在于包括：栅极形成步骤，用于在衬底上形成多个栅极；保护层形成步骤，用于在形成了所述多个栅极的硅片表面形成保护层；无定性碳层形成步骤，用于在保护层上形成无定性碳层；无定性碳层部分刻蚀步骤，用于对所述无定性碳层进行刻蚀，以便使得所述多个栅极的上部暴露出来；氮化硅层形成步骤，用于在暴露了所述多个栅极的上部的结构上形成氮化硅层，所述氮化硅层覆盖了暴露的栅极；氮化硅层刻蚀步骤，用于对所述氮化硅层进行刻蚀，从而在所述多个栅极的侧面形成一个翼形侧壁结构，并且使得相邻的两个栅极中间的无定性

专利地区：上海