半导体结构的制作方法专利登记公告

专利名称：半导体结构的制作方法

摘要：本发明实施例提供半导体结构的制作方法，所述方法包括：提供键合为一体的半导体衬底和基板，所述半导体衬底和基板之间具有后段互连层，所述后段互连层内形成有焊垫；在所述半导体衬底或所述半导体衬底与所述后段互连层内形成环形通孔，所述环形通孔露出部分焊垫；在所述环形通孔内形成介质层，所述介质层至少填充满所述环形通孔；进行湿法刻蚀工艺，去除所述环形通孔包围的半导体衬底，形成露出所述焊垫的沟槽；在所述沟槽内形成互连层，所述互连层与所述焊垫电连接；在所述互连层上方形成与互连层电连接的导电凸块。本发明减小了对焊垫的损伤，提高

专利类型：发明专利

专利号：CN201110053783.6

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：奚民伟;朱虹

主权项：一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供键合为一体的半导体衬底和基板，所述半导体衬底和基板之间形成有后段互连层，所述后段互连层内形成有焊垫；在所述半导体衬底或所述半导体衬底与所述后段互连层内形成环形通孔，所述环形通孔露出部分焊垫；在所述环形通孔内形成介质层，所述介质层至少填充满所述环形通孔；以所述介质层为掩膜，进行湿法刻蚀工艺，去除所述环形通孔包围的半导体衬底，形成露出所述焊垫的沟槽；在所述沟槽内形成互连层，所述互连层与所述焊垫电连接；在所述互连层上方形成导电凸块，所述导电凸块与所述互连层电连接。

专利地区：上海