一种将碳纳米管束填充到硅转接板的硅穿孔中的方法专利登记公告

专利名称：一种将碳纳米管束填充到硅转接板的硅穿孔中的方法

摘要：本发明公开了一种将碳纳米管束通过转移的方式填充到硅转接板的TSV中的方法。该方法是将碳纳米管束生长在普通硅基底上，然后通过转移的方法将碳纳米管束填充到硅转接板的TSV中。此方法的优势在于碳纳米管束的生长不受温度限制，可以得到任意所需长度的碳纳米管束，不受TSV径和深宽比的限制，通过转移可以使碳纳米管束两端被很好的固定。碳纳米管束填充TSV作为互连不但具有更低的电阻率而且可以避免铜互连电迁移问题。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110061489.X

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：曹立强;戴风伟;王启东;万里兮

主权项：一种将碳纳米管束填充到硅转接板的硅穿孔中的方法，其特征在于，包括：在第一基底上生长氧化物缓冲层；在生长有氧化物缓冲层的第一基底上制作光刻胶层，并经曝光、显影形成碳纳米管束阵列图形；在形成碳纳米管束阵列图形的第一基底表面通过溅射或蒸发的方法沉积金属催化剂薄膜，并去除光刻胶，形成金属催化剂薄膜阵列；在金属催化剂薄膜阵列上通过热化学汽相淀积或等离子体援助化学汽相淀积方法生长碳纳米管束阵列；通过激光钻孔或深反应离子刻蚀方法在第二基底上表面制作硅穿孔盲孔阵列；采用化学机械抛光法，减薄第二基底的下表面直到曝露出硅穿孔

专利地区：北京