一种制备双层隔离混合晶向应变硅纳米线CMOS方法专利登记公告

专利名称：一种制备双层隔离混合晶向应变硅纳米线CMOS方法

摘要：本发明提供一种制备双层隔离混合晶向应变硅纳米线CMOS方法。形成上下两层MOSFET的沟道区是具有不同表面晶向的硅纳米线，其中下层MOSFET为SiNW中沿源漏方向具有张应力的NMOSFET，上层MOSFET为SiNW中沿源漏方向具有压应力的PMOSFET。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210135970.3

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：黄晓橹

主权项：一种制备双层隔离混合晶向应变硅纳米线CMOS方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：步骤1：对顶层硅含有杂质离子且表面晶向为(100)的SOI硅片进行光刻和刻蚀定义出硅纳米线场效应晶体管的区域，刻蚀至暴露出埋氧层为止，除去光刻和刻蚀过程中留下的光阻和/或硬掩膜；步骤2：采用湿法刻蚀除去SOI顶层硅片下方的部分埋氧层，使得硅纳米线区域下方存在空洞层，其中顶层硅层源漏衬垫位置与下面的埋氧层相连；步骤3：采用热氧化工艺和湿法刻蚀工艺去除顶层硅层中硅纳米线区表面的氧化层，制备形成硅纳米线，在器件上淀积绝缘介质层，使得

专利地区：上海