半导体器件制造方法和半导体器件专利登记公告

专利名称：半导体器件制造方法和半导体器件

摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。为了抑制树脂密封的半导体器件的可靠性降低。将具有空腔(空间形成部分)的第一帽(构件)和第二帽(构件)叠加并且键合在一起以形成密封空间。以如下方式制造包括该空间以内的传感器芯片(半导体芯片)和接线的半导体。在密封在帽之间的接合部分的密封步骤中，密封构件由树脂形成，从而分别暴露第二帽的整个上表面和第一帽的整个下表面。因此，在密封步骤中，可以降低在挤压第二帽的方向上作用的压力。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210071952.3

专利申请（专利权）人：瑞萨电子株式会社

专利发明（设计）人：高桥典之

主权项：一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：(a)提供第一构件，所述第一构件包括第一上表面以及与所述第一上表面相反的第一下表面；(b)在所述第一构件的所述第一上表面之上装配半导体芯片，所述半导体芯片包括前表面、形成于所述前表面处的多个电极焊盘以及与所述前表面相反的背表面；(c)经由多个接线将所述半导体芯片的所述电极焊盘与布置于所述半导体芯片周围的多个端子电连接；(d)在所述步骤(c)之后，在所述第一构件的所述第一上表面之上布置第二构件，所述第二构件包括第二上表面、与所述第二上表面相反的第二下表面以及形成于所述第

专利地区：日本