一种沉积前金属介电质层薄膜的方法专利登记公告

专利名称：一种沉积前金属介电质层薄膜的方法

摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种沉积前金属介电质层薄膜的方法。本发明提出一种沉积前金属介电质层薄膜的方法，通过采用高密度等离子化学气相沉积工艺依次沉积不掺杂二氧化硅薄膜和掺杂二氧化硅薄膜形成金属前介质层，由于掺杂二氧化硅薄膜的掺杂浓度从上表面向下逐渐减小，呈线性分布，从而能够很好的控制其后续通孔的形状，并且能够有效去除通孔底部的台阶，降低通孔的电阻，进而增大产品的良率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210135998.7

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：徐强

主权项：一种沉积前金属介电质层薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：沉积刻蚀阻挡层覆盖一半导体结构的上表面，沉积不掺杂二氧化硅薄膜覆盖所述刻蚀阻挡层的上表面；步骤S2：沉积掺杂二氧化硅薄膜覆盖所述不掺杂二氧化硅薄膜的上表面；其中，所述掺杂二氧化硅薄膜的掺杂浓度从上表面向下逐渐减小，呈线性分布。

专利地区：上海