一种用于45纳米及以下技术节点的金属前介质集成工艺专利登记公告

专利名称：一种用于45纳米及以下技术节点的金属前介质集成工艺

摘要：本发明公开一种用于45纳米及以下技术节点的金属前介质集成工艺，其中，包括：S1：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有器件层；S2：在所述半导体衬底上依次沉积张应力氮化硅层和HARP膜；S3：对所述HARP膜进行氮气、氧气、臭氧等离子体处理；S4：在所述HARP膜上沉积PETEOS氧化硅层；S5：进行化学机械研磨工艺，直至暴露出所述HARP膜的表面；S6：再次对所述HARP膜进行氮气、氧气、臭氧等离子体处理；S7：在所述HARP膜和PETEOS氧化硅层中形成通孔之后，利用包含氮气、氧气、臭氧等离子体同时

专利类型：发明专利

专利号：CN201210136032.5

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：郑春生;张文广;徐强;陈玉文

主权项：一种用于45纳米及以下技术节点的金属前介质集成工艺，其特征在于，包括：S1：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有器件层；S2：在所述半导体衬底上依次沉积张应力氮化硅层和HARP膜；S3：对所述HARP膜进行氮气、氧气、臭氧等离子体处理；S4：在所述HARP膜上沉积PETEOS氧化硅层；S5：进行化学机械研磨工艺，直至暴露出所述HARP膜的表面；?S6：再次对所述HARP膜进行氮气、氧气、臭氧等离子体处理；S7：在所述HARP膜和PETEOS氧化硅层中形成通孔之后，利用包含氮气、氧气、臭氧等离子体同时对

专利地区：上海