接触孔的形成方法专利登记公告

专利名称：接触孔的形成方法

摘要：本发明提供一种接触孔的制作方法，在第一绝缘层和层间介质层之间增加中间停止层，在刻蚀过程中，利用刻蚀气体对层间介质层和中间停止层的刻蚀选择比，实现不同位置上接触孔的刻蚀深度不同，使随后对中间停止层以及刻蚀停止层的刻蚀工艺中，栅极区域和源漏区域上具有相同的刻蚀距离，保证栅极区域和源漏区域上的金属硅化物刻蚀能基本同时进行，最终使栅极区域上的金属硅化物损失和源漏区域基本相同。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210138204.2

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：杨渝书;李程;陈玉文

主权项：一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括：提供具有有源器件的半导体衬底，所述半导体衬底包含栅极区域和源漏区域；形成与栅极区域和源漏区域电连接的金属硅化物层；在所述的金属硅化物层表面依次形成刻蚀停止层，第一绝缘层，中间停止层，层间介质层以及第二绝缘层，底部抗反射层；在底部抗反射层上形成光阻图案，以定义出接触孔的位置；以光阻图案为掩膜，刻蚀底部抗反射层至暴露出第二绝缘层，形成开口；执行主刻蚀工艺，沿所述的开口刻蚀第二绝缘层，层间介质层至暴露出栅极区域上的中间停止层；继续沿开口执行过刻蚀工艺，去除源漏区域上的层间

专利地区：上海