应变硅纳米线NMOSFET的制备方法专利登记公告

专利名称：应变硅纳米线NMOSFET的制备方法

摘要：本发明提供的一种应变硅纳米线NMOSFET的制备方法，包括形成硅纳米线场效应晶体管区域，并在顶层硅和埋氧层之间形成空洞层，在空洞层上方的顶层硅上制备出硅纳米线；沉淀绝缘介质层，并填充顶层硅下方的空洞层；磨平绝缘介质层，使得源漏衬垫上方的绝缘介质层厚度为20~200nm；刻蚀栅极区域的绝缘介质层，直至露出埋氧层；刻蚀源漏衬垫区并保留底部的部分顶层硅；在源漏衬垫区域生长碳硅层，同时进行源漏区域原位掺杂；进行金属硅合金工艺，及接触孔工艺，将源、漏、栅极引出。本发明有效增大N-SiNWFET的电流驱动能力；避免了

专利类型：发明专利

专利号：CN201210136028.9

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：黄晓橹

主权项：一种应变硅纳米线NMOSFET的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，提供SOI硅片，包括硅衬底、硅衬底上的埋氧层和埋氧层上的顶层硅；步骤2，定义硅纳米线场效应晶体管区域，并在顶层硅和埋氧层之间形成空洞层，并形成源漏衬垫，在空洞层上方的顶层硅上制备出硅纳米线；步骤3，沉淀绝缘介质层，并填充顶层硅下方的空洞层；磨平绝缘介质层，使得源漏衬垫上方的绝缘介质层厚度为20nm~200nm；步骤4，刻蚀栅极区域的绝缘介质层，直至露出埋氧层；步骤5，进行栅氧工艺制备栅氧层，并沉积栅极材料；步骤6，刻蚀源漏衬垫区域

专利地区：上海