提高击穿电压的方法专利登记公告

专利名称：提高击穿电压的方法

摘要：本发明涉及一种提高击穿电压的方法，其特征在于：在嵌入式闪存高压量测前，将晶体管的栅极和源极接地，漏极加一电流。通过漏极附近的碰撞电离效应而形成最大通道横向电场，使得漏极区一些高能热载流子注入到栅氧层而产生一些电子空穴对，进而导致漏极区向栅极移动的热载流子的速率和饱和速率下降，使得晶体管击穿电压增大，使得HVNMOS晶体管的击穿电压大于闪存擦写动作的高压上限区域，进而完成HVNMOS的闪存擦写动作，提高HVNMOS器件的产能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210143418.9

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：任栋梁;钱亮;李冰寒;胡勇

主权项：一种提高击穿电压的方法，其特征在于：在嵌入式闪存高压量测前，将晶体管的栅极和源极接地，漏极加一电流以在漏极产生最大通道横向电场。

专利地区：上海