一种基于石墨烯的双栅MOSFET的制备方法专利登记公告

专利名称：一种基于石墨烯的双栅MOSFET的制备方法

摘要：本发明提供一种基于石墨烯的双栅MOSFET的制备方法，属于微电子与固体电子领域，该方法包括：在单晶硅衬底上生长一层高质量的SiO2，然后在该SiO2层上旋涂一层高聚物作为制备石墨烯的碳源；再在高聚物上淀积一层催化金属，通过高温退火，在所述SiO2层和催化金属层的交界面处形成有石墨烯；利用光刻技术及刻蚀工艺，在所述催化金属层上开窗并形成晶体管的源极和漏极；利用原子沉积系统在开窗区沉积一层高K薄膜，然后在该高K薄膜上方制备前金属栅，最后在Si衬底的背面制备金属背栅极，最终形成基于石墨烯沟道材料和高K栅介质的双

专利类型：发明专利

专利号：CN201210165018.8

专利申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利发明（设计）人：陈静;余涛;罗杰馨;伍青青;柴展

主权项：一种基于石墨烯的双栅MOSFET的制备方法,其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：1）提供一单晶硅衬底，在所述单晶硅衬底上生长一层SiO2层；2）在所述SiO2层上旋涂一层高聚物作为制备石墨烯的碳源；3）采用电子束蒸发或者溅射工艺在所述高聚物上制备一层催化金属层；4）将样品放置于管式炉中，将所述管式炉抽真空至预定压强，然后向所述管式炉中通入预定比例的混合气体作为保护气氛，在所述保护气氛下对该样品进行高温退火处理，以在所述催化金属层与高聚物界面处形成石墨烯；5）利用光刻及化学腐蚀工艺在所述催化金属层上开

专利地区：上海