基于SOI的后栅型积累模式Si-NWFET制备方法专利登记公告

专利名称：基于SOI的后栅型积累模式Si-NWFET制备方法

摘要：本发明公开了一种基于SOI的后栅型积累模式Si-NWFET制备方法，包括：刻蚀SOI衬底上形成的硅层和硅锗层形成鳍形有源区；鳍形有源区内形成硅纳米线；形成沟道隔离介质层并进行源漏区离子注入；形成栅极并金半合金工艺形成积累型PMOSFET；沉积层间隔离介质层，在所述层间隔离介质层上形成积累型NMOSFET。由于基于SOI衬底，使PMOSFET中栅极与硅衬层之间很好地隔离；上下两层半导体纳米线MOSFET是由层间隔离介质层隔离开，便于层转移工艺的实现，也可以完全独立进行工艺调试，如栅极功函数调节；此外，本发明

专利类型：发明专利

专利号：CN201210137470.3

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：黄晓橹

主权项：一种基于SOI的后栅型积累模式Si?NWFET制备方法，包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底由下至上依次包括硅衬层、埋氧层和顶层硅；将所述顶层硅转化为初始锗硅层；在所述初始锗硅层上形成硅层和后续锗硅层，所述初始锗硅层和后续锗硅层共同构成锗硅层；对所述锗硅层和硅层刻蚀处理，形成鳍形有源区；刻蚀所述锗硅层，形成鳍形沟道区，剩余的区域作为源漏区；在所述鳍形有源区内形成硅纳米线；在所述SOI衬底上的沟道内形成隔离介质层；在所述硅纳米线表面形成栅极氧化层；在所述鳍形有源区内的SOI衬底上形成栅极；自对准金半合金工艺

专利地区：上海