非易失性存储装置及其制造方法专利登记公告

专利名称：非易失性存储装置及其制造方法

摘要：一种非易失性存储装置及其制造方法。本发明提供了一种非易失性存储装置及其制造方法，以防止存储于电荷俘获层的电荷移动到邻近的存储单元。制造非易失性存储装置的方法包括：在半导体衬底上形成第一介质层，半导体衬底中由隔离层定义有源区；在第一介质层上形成电荷俘获层；除去隔离层上的第一介质层和电荷俘获层；在包括电荷俘获层的隔离层上形成第二介质层；以及在第二介质层上形成导电层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210148711.4

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：金世埈;崔殷硕;朴景焕;刘泫升;李命植;洪韺玉;安正烈;金容漯;黄敬弼;禹元植;朴宰颍;李起洪;朴基善;周文植

主权项：一种制造非易失性存储器装置的方法，所述方法包括：在包括突出的隔离层的半导体衬底的表面上形成第一介质层和电荷俘获层，其中所述电荷俘获层由氮化物层形成；对所述第一介质层和所述电荷俘获层执行抛光工艺以露出所述突出的隔离层的顶面，使得所述第一介质层和所述电荷俘获层保留在所述半导体衬底的由所述突出的隔离层所定义的有源区上；在所述电荷俘获层和所述隔离层上形成第二介质层；以及在所述第二介质层上形成导电层。

专利地区：韩国