提高静态随机存储器写入冗余度的方法专利登记公告

专利名称：提高静态随机存储器写入冗余度的方法

摘要：本发明提供了一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法。所述静态随机存储器包括输入/输出器件以及核心器件，并且其中所述核心器件包括上拉管器件，所述输入/输出器件用于芯片与外围电路的信号输入及输出，并且所述输入/输出器件的栅极氧化层的厚度大于核心器件的栅极氧化层的厚度。所述提高静态随机存储器写入冗余度的方法包括：使上拉管器件的栅极氧化层的厚度大于其它核心器件的栅极氧化层的厚度。可使上拉管器件的栅极氧化层的厚度等于输入/输出器件的栅极氧化层的厚度。例如，在制备上拉管器件的栅极氧化层时，不移除之前生长的用于输入/输

专利类型：发明专利

专利号：CN201210137955.2

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：俞柳江

主权项：一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法，所述静态随机存储器包括输入/输出器件以及核心器件，并且其中所述核心器件包括上拉管器件，所述输入/输出器件用于芯片与外围电路的信号输入及输出，并且所述输入/输出器件的栅极氧化层的厚度大于核心器件的栅极氧化层的厚度，其特征在于所述提高静态随机存储器写入冗余度的方法包括：使上拉管器件的栅极氧化层的厚度大于其它核心器件的栅极氧化层的厚度。

专利地区：上海