氧化物薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置专利登记公告
专利名称：氧化物薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置
摘要：本发明实施例公开了一种氧化物薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置，涉及显示领域，能够有效阻挡H+浸入活化层，使薄膜晶体管性能稳定。本发明实施例的氧化物薄膜晶体管，包括衬底以及依次设置在所述衬底上的栅电极和栅极绝缘层，其特征在于，所述栅极绝缘层上设有活化层，所述活化层上覆盖有阻挡层，所述阻挡层至少包括第一阻挡层和第二阻挡层。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210138023.X
专利申请（专利权）人：京东方科技集团股份有限公司
专利发明（设计）人：成军;李禹奉
主权项：一种氧化物薄膜晶体管，包括衬底以及依次设置在所述衬底上的栅电极和栅极绝缘层，其特征在于，所述栅极绝缘层上设有活化层，所述活化层上覆盖有阻挡层，所述阻挡层至少包括第一阻挡层和第二阻挡层。
专利地区：北京
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