ZnO/ZnS异质结构纳米锥阵列的制备方法专利登记公告

专利名称：ZnO/ZnS异质结构纳米锥阵列的制备方法

摘要：ZnO/ZnS异质结构纳米锥阵列的制备方法，涉及一种ZnO/ZnS异质结构纳米锥阵列的制备方法。是要解决现有特殊形貌结构的纳米材料的开启电场和阈值电场较高，导致场发射性能不理想的问题。方法：一、对单晶硅片进行清洗，然后在单晶硅片上溅射纳米金膜，作为硅衬底；二、将氧化锌粉末和硫化锌粉末混合作为源材料，锗粉作为催化剂，将源材料置于耐高温容器，并置于高温反应炉，将催化剂与硅衬底置于源材料下游；三、将高温反应炉密封，抽真空，通入惰性气体，加热，恒温，自然冷却至室温，停止通入惰性气体，取出硅衬底，获得黄白色粉末，即

专利类型：发明专利

专利号：CN201210141384.X

专利申请（专利权）人：哈尔滨师范大学

专利发明（设计）人：张喜田;陈美陆;温静;武立立;牟洪臣

主权项：ZnO/ZnS异质结构纳米锥阵列的制备方法，其特征在于ZnO/ZnS异质结构纳米锥阵列的制备方法，按以下步骤进行：一、对单晶硅片进行清洗，然后在单晶硅片上溅射纳米金膜，作为硅衬底；二、将氧化锌粉末和硫化锌粉末按质量比为1～25∶1混合，作为源材料，锗粉作为催化剂，将源材料、催化剂和硅衬底都放置在耐高温容器中，其中源材料置于耐高温容器的一端，并将此端置于高温反应炉的中心位置，将催化剂置于源材料下游，与源材料之间的距离为0.06～0.08m，将硅衬底置于源材料下游，与源材料之间的距离为0.10～0.20m；三

专利地区：黑龙江