一种在封装过程实现CuO纳米线生长的场发射显示器封装方法专利登记公告

专利名称：一种在封装过程实现CuO纳米线生长的场发射显示器封装方法

摘要：本发明公开了一种在封装过程实现CuO纳米线生长的场发射显示器封装方法。本方法将热氧化制备CuO纳米线与低熔点玻璃粉的烧结同步进行，可以在场发射显示器的阴极基板上生长CuO纳米线冷阴极的同时固化低熔点玻璃粉。本发明工艺简单，既简化了场发射显示器的工艺流程，可以节约制作成本，也可以避免封装的烧结过程对CuO纳米线冷阴极发射特性造成影响。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210152496.5

专利申请（专利权）人：中山大学

专利发明（设计）人：陈军;林琳;刘更新;许宁生;邓少芝

主权项：一种在封装过程实现CuO纳米线生长的场发射显示器封装方法，其特征在于包括以下顺序的步骤：a)首先在阴极基板上制备导电层和铜膜；b)将阴极基板及带荧光粉层的阳极基板对准并固定；c)在阴极和阳极基板之间的缝隙涂覆低熔点玻璃粉；d)安装排气管；e)通过排气管，向器件内部通入氧气、空气或含有氧气的混合气体；f)按照一定的升温速率，将整个器件加热至400～450℃，并保温1～5小时，最后降温。

专利地区：广东