闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备专利登记公告

专利名称：闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备

摘要：一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备，主要应用于高离化率的反应磁控溅射镀膜领域。本发明包括镀膜室、镀膜室门、工件转架、圆柱磁控靶、充气系统、靶挡板及真空抽气口，镀膜室门通过铰链固定在镀膜室上，在镀膜室的外壁上设有真空抽气口，在镀膜室的下盖上设有工件转架，在镀膜室的上盖上设有圆柱磁控靶和充气系统，工件转架与偏压电源相连接；其特点是圆柱磁控靶的设置数量为大于或等于4的偶数个，圆柱磁控靶磁铁的磁极面向被镀工件设置，并使各圆柱磁控靶之间形成闭合的磁回路；奇数圆柱磁控靶的磁极是N-S-N，偶数圆柱磁控靶的磁极是S-N

专利类型：发明专利

专利号：CN201210142280.0

专利申请（专利权）人：爱发科中北真空（沈阳）有限公司

专利发明（设计）人：金广福

主权项：一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备，包括镀膜室、镀膜室门、工件转架、圆柱磁控靶、充气系统、靶挡板及真空抽气口，所述镀膜室门通过铰链固定在镀膜室上，在所述镀膜室的外壁上设有真空抽气口，在镀膜室的下盖上设有工件转架，在镀膜室的上盖上设有圆柱磁控靶和充气系统，所述工件转架与偏压电源相连接；其特征在于所述圆柱磁控靶的设置数量为大于或等于4的偶数个，圆柱磁控靶磁铁的磁极面向被镀工件设置，并使各圆柱磁控靶之间形成闭合的磁回路；其中，奇数圆柱磁控靶磁铁的磁极是N?S?N，偶数圆柱磁控靶磁铁的磁极是S?N?S，或者奇数圆

专利地区：辽宁