磁控溅射与后续氧化制备MnCo尖晶石保护膜的方法专利登记公告

专利名称：磁控溅射与后续氧化制备MnCo尖晶石保护膜的方法

摘要：本发明提供了一种磁控溅射与后续氧化制备MnCo尖晶石保护膜的方法，其包括以下步骤：步骤一、准备基板；步骤二、优化磁控溅射制备Mn/Co膜层工艺条件，设置本底真空度、基板加热温度、辉光清洗偏压、溅射气压、溅射功率、溅射基板偏压，所述溅射基板偏压是从小到大至少变化一次的电压；溅射靶材：多膜层成分处理、渐进式加元素法：先镀一层Cr，再镀MnCo合金，Mn/Co摩尔比小于1：1；步骤三、氧化处理生成（Mn，Co）3O4尖晶石。本发明直接购买不同比例的Mn/Co靶材，突破传统共溅射的局限，同时克服水溶液电镀法膜层质

专利类型：发明专利

专利号：CN201210168199.X

专利申请（专利权）人：哈尔滨工业大学深圳研究生院

专利发明（设计）人：武俊伟;张辉

主权项：一种磁控溅射与后续氧化制备MnCo尖晶石保护膜的方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤一、准备基板；步骤二、优化磁控溅射制备Mn/Co膜层工艺条件，设置本底真空度、基板加热温度、辉光清洗偏压、溅射气压、溅射功率、溅射基板偏压，所述溅射基板偏压是从小到大至少变化一次的电压；溅射靶材：多膜层成分处理、渐进式加元素法：先镀一层Cr，再镀MnCo合金，Mn/Co摩尔比小于1：1；步骤三、氧化处理生成（Mn，Co）3O4尖晶石。

专利地区：广东