一种具有复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管专利登记公告

专利名称：一种具有复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管

摘要：一种具有复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件领域。该晶体管包含衬底（108），氮化铝成核层（107），氮化镓沟道层（201），氮化铝插入层（105），铝镓氮势垒层（104）以及势垒层上形成的源极（101）、漏极（102）和栅极（103），其中源极（101）和漏极（102）与铝镓氮势垒层（104）形成欧姆接触，栅极（103）与铝镓氮势垒层（104）形成肖特基接触，其特征是，它还包含一层位于氮化镓沟道层（201）和氮化铝成核层（107）之间的铝铟氮/氮化镓复合缓冲层（202）、或氮化铝/铝铟

专利类型：发明专利

专利号：CN201210142937.3

专利申请（专利权）人：电子科技大学

专利发明（设计）人：杜江锋;赵子奇;马坤华;尹江龙;于奇

主权项：一种具有复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管，包含有衬底（108），氮化铝（AlN）成核层（107），氮化镓（GaN）沟道层（201），氮化铝（AlN）插入层（105），铝镓氮（AlGaN）势垒层（104）以及势垒层上形成的源极（101）、漏极（102）和栅极（103），其中源极（101）和漏极（102）与AlGaN势垒层（104）形成欧姆接触，栅极（103）与AlGaN势垒层（104）形成肖特基接触，其特征是：在位于GaN沟道层（201）和AlN成核层（107）之间有一层铝铟氮/氮化镓（AlInN/G

专利地区：四川