SOI MOS晶体管专利登记公告

专利名称：SOI MOS晶体管

摘要：本发明提供了一种SOI?MOS晶体管，包括有源区，形成于SOI衬底的SOI层中；栅极，覆盖部分的有源区；源区和漏区，分别位于栅极长度方向两侧的有源区中，其中源区和漏区的与栅极交界的部分的宽度相等；其中被栅极覆盖的有源区部分包括以源区和漏区的与栅极交界的部分的宽度在源区和漏区之间延伸的沟道区，其中有源区包括至少两个梳齿状突出部，在沟道区的长度方向上以一定的间隔排列在沟道区在宽度方向上的一侧或两侧；其中，梳齿状突出部的末端未被栅极覆盖的部分为体接触区。本发明提供的SOI?MOS晶体管可以减小侧向漏电、体电阻及

专利类型：发明专利

专利号：CN201210155387.9

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：李莹;毕津顺;罗家俊;韩郑生

主权项：一种SOI?MOS晶体管，包括：有源区（307），形成于SOI衬底（300）的SOI层中；栅极（302），覆盖部分的有源区（307）；源区（303）和漏区（304），分别位于栅极（302）长度方向两侧的有源区（307）中，其中源区（303）和漏区（304）的与栅极交界的部分的宽度相等；其中被栅极覆盖的有源区（307）的部分包括，以源区（303）和漏区（304）的与栅极（302）交界的部分的宽度在源区（303）和漏区（304）之间延伸的沟道区（306），其中有源区（307）包括至少两个梳齿状突出部（305）

专利地区：北京