评估淀积形成薄膜性能的方法专利登记公告

专利名称：评估淀积形成薄膜性能的方法

摘要：本发明提出一种评估淀积形成薄膜性能的方法，包括如下步骤：步骤1：采用第一设备对淀积薄膜进行多次测量，同步记录薄膜的厚度及其相应的拟合程度值，采用第二设备对该薄膜进行多次测量，同步记录薄膜的方块电阻值，所述拟合程度值为测量该薄膜厚度时自动产生的相应的值；步骤2：将步骤1记录的拟合程度值和方块电阻值进行公式拟合，得到拟合程度值与方块电阻为线性关系，并通过拟合程度值表征方块电阻。本发明提供的方法可以减少监控测量半导体薄膜的方块电阻而造成的成本支出。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210143419.3

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：杜杰;姜国伟;牟善勇;赵高辉

主权项：一种评估淀积形成薄膜性能的方法，包括：步骤1：采用第一设备对淀积薄膜进行多次测量，同步记录薄膜的厚度及其相应的拟合程度值，采用第二设备对该薄膜进行多次测量，同步记录薄膜的方块电阻值，所述拟合程度值为测量该薄膜厚度时自动产生的相应的值；步骤2：将步骤1记录的拟合程度值和方块电阻值进行公式拟合，得到拟合程度值与方块电阻为线性关系，并通过拟合程度值表征方块电阻。

专利地区：上海