图像传感器制造方法以及图像传感器专利登记公告

专利名称：图像传感器制造方法以及图像传感器

摘要：本发明提供图像传感器制造方法以及图像传感器。对浮置扩散区进行离子注入形成阱区；通过第一掩模板形成第一光阻，定义出感光二极管区，利用第一光阻在衬底中进行离子注入形成第一掺杂层，作为感光二极管；通过将第一光阻轻度灰化来形成第二光阻；利用第二光阻进行离子注入,在靠近硅表面形成第二掺杂层；通过第二掩膜板形成第三光阻，定义出防漏电区。利用第三光阻进行离子注入形成第三掺杂层，作为防漏电区。然后，继续进行离子注入，在靠近硅表面形成第四掺杂层。第二掺杂层与第四掺杂层部分重叠而连为一体，共同作为调整传输管阈值电压的掺杂层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210143435.2

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：饶金华;张克云;孙玉红

主权项：一种图像传感器制造方法，图其特征在于包括：对浮置扩散区进行离子注入形成阱区；通过第一掩模板形成第一光阻，定义出感光二极管区；利用第一光阻在衬底中进行离子注入形成第一掺杂层，作为感光二极管；通过将第一光阻轻度灰化来形成第二光阻；利用第二光阻进行离子注入,在靠近硅表面形成第二掺杂层；通过第二掩膜板形成第三光阻，定义出防漏电区;利用第三光阻进行离子注入形成第三掺杂层，形成防漏电区;然后继续进行离子注入，在靠近硅表面形成第四掺杂层;第二掺杂层与第四掺杂层部分重叠而连为一体，共同作为调整传输管阈值电压的掺杂层。

专利地区：上海