小尺寸CMOS图像传感器像素结构及生成方法专利登记公告

专利名称：小尺寸CMOS图像传感器像素结构及生成方法

摘要：本发明涉及金属互补氧化物半导体固态图像传感器。为提供一种小尺寸的CMOS图像传感器像素的光电二极管结构，使得优化后的小像素单元可以在不增大暗电流的情况下增加满阱容量，从而间接增大动态范围、信噪比等，完成小像素下像素单元的优化设计，为达到上述目的，本发明采取的技术方案是，小尺寸CMOS图像传感器像素结构，像素光电二极管是由在P型外延层上注入一个较浅的N型区域埋层构成，N型区域是一个开口向左、由同型扩散系数较大的杂质构成的U型埋层结构，U型埋层结构中间位置是扩散系数较小的同型杂质；扩散系数较大的杂质注入层将扩

专利类型：发明专利

专利号：CN201210143666.3

专利申请（专利权）人：天津大学

专利发明（设计）人：姚素英;孙羽;高静;徐江涛;史再峰;高志远

主权项：一种小尺寸CMOS图像传感器像素结构，其特征是，由一种杂质半导体构成光电二极管N埋层外层，由另一种杂质半导体构成光电二极管N埋层内层，构成光电二极管N埋层内层的杂质半导体比构成N埋层外层杂质半导体浓度大、扩散系数小，N埋层的内层形状为开口向左的U型，U型中间部位由P型掺杂注入形成P插入层，P插入层范围左侧始自光电二极管区域左侧边界，右侧最远距离传输管X处，X范围最大值不大于整个光电二极管N埋层宽度，最小值趋向于零但始终大于零，N埋层的外层N埋层的内层全部包埋。

专利地区：天津