大感光面积CMOS图像传感器像素结构及生成方法专利登记公告

专利名称：大感光面积CMOS图像传感器像素结构及生成方法

摘要：本发明涉及固态CMOS图像传感器。为提供性能参数优良的大像素结构，提高像素对长波长光的量子效率，以便采集到更加真实的彩色图像，本发明采取的技术方案是，大感光面积CMOS图像传感器像素结构及生成方法，钳位二极管PPD为P型杂质衬底上设置有钳位二极管的N区、钳位二极管的P区，在钳位二极管的N区、钳位二极管的P区之间设置有新P型杂质注入区，新P型杂质注入区与钳位二极管感光区域交叠部分面积与感光区面积比例在1:100～1:5之间；交叠部分与传输管TX栅极之间的最短距离大于2um；新P型杂质注入区浓度峰值注入的深度

专利类型：发明专利

专利号：CN201210144011.8

专利申请（专利权）人：天津大学

专利发明（设计）人：姚素英;韩立镪;孙羽;高静;徐江涛;史再峰

主权项：一种大感光面积CMOS图像传感器像素结构，由传输管TX、复位管RST、源跟随器SF、选择管SEL以及钳位二极管PPD和存储节点FD组成，钳位二极管PPD为P型杂质衬底上设置有钳位二极管的N区、钳位二极管的P区，其特征是，在钳位二极管的N区、钳位二极管的P区之间设置有新P型杂质注入区，新P型杂质注入区与钳位二极管感光区域交叠部分面积与感光区面积比例在1∶100～1∶5之间；交叠部分与传输管TX栅极之间的最短距离大于2um；新P型杂质注入区浓度峰值注入的深度在N型杂质区杂质深度分布范围之内。

专利地区：天津