光刻套刻方法和提高LDMOS器件击穿稳定性的方法专利登记公告

专利名称：光刻套刻方法和提高LDMOS器件击穿稳定性的方法

摘要：本发明提供了一种光刻套刻方法、光刻方法和提高LDMOS器件击穿稳定性的方法。根据本发明的光刻套刻方法包括：形成第一层图案并留下对准标记；形成第二层图案，并根据所述对准标记确定第二层图案相对于第一层图案的套刻精度；形成第三层图案的光刻掩膜；根据所述对准标记确定第三层图案相对于第一层图案的套刻精度；利用第二层图案相对于第一层图案的套刻精度减去第三层图案相对于第一层图案的套刻精度得到的结果来调整第三层图案的光刻掩膜的图案参数，以使得第二层图案和第三层图案对准。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210143437.1

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：刘正超;孙贤波

主权项：一种光刻套刻方法，其特征在于包括：形成第一层图案并留下对准标记；形成第二层图案，并根据所述对准标记确定第二层图案相对于第一层图案的套刻精度；形成第三层图案的光刻掩膜；根据所述对准标记确定第三层图案相对于第一层图案的套刻精度；利用第二层图案相对于第一层图案的套刻精度减去第三层图案相对于第一层图案的套刻精度得到的结果来调整第三层图案的光刻掩膜的图案参数，以使得第二层图案和第三层图案对准。

专利地区：上海