晶体硅双面太阳电池生产工艺专利登记公告

专利名称：晶体硅双面太阳电池生产工艺

摘要：本发明涉及一种双面太阳电池生产工艺，步骤如下：制绒使硅基体具有绒面；在硅基体背光面制作与电极图案相符的窗口；对硅基体进行热处理使窗口内形成PN结；清洗硅基体；对硅基体向光面镀至少两层减反射膜；对基体硅背光面镀减反射膜；丝网印刷电极浆料；烧结得到金属电极，完成电池片的制作。本发明构思奇巧，与常规工业化电池生产线兼容，易于工业化制作；相对常规太阳电池，本发明双面太阳电池向光面无电极栅线，避免了向光面电极栅线对太阳光的遮挡，背光面拥有陷光结构和减反射膜层，因此电池的背光面也能吸收利用太阳光，向光面和背光面的减反

专利类型：发明专利

专利号：CN201210149129.X

专利申请（专利权）人：杨正刚

专利发明（设计）人：杨正刚

主权项：晶体硅双面太阳电池生产工艺，其特征在于包括如下步骤：第一步、对N型或P型硅基体制绒，使硅基体的向光面和背光面得到具有陷光作用的绒面陷光结构；第二步、对制绒后的硅基体进行清洗，去除金属离子及杂质；第三步、对硅基体背光面分别进行硼源、磷源离子注入或喷涂或者分别进行硼源浆料、磷源浆料丝网印刷，并分别得到与正电极图案相符的P型窗口、与负电极图案相符的N型窗口；或者，对N型硅基体背光面进行硼源离子注入或喷涂或者进行硼源浆料丝网印刷，并得到与正电极图案相符的P型窗口；或者，对P型硅基体背光面进行磷源离子注入或喷涂或者

专利地区：江苏