一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法专利登记公告

专利名称：一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法

摘要：一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，本发明涉及光探测器的制备方法。本发明是要解决现有的现有的柔性光探测器的光刻工艺技术成本高且难以实现批量化生产的技术问题。方法：一、制备半导体材料单晶硒化镓或单晶硫化镓；二、用思高胶带在半导体材料表面粘贴-剥离；三、将二维结构半导体材料转移至基底上；四、将铜制掩膜覆到经步骤三处理的基底上，沉积金层和铬层；再去掉掩膜退火处理；五、利用半导体测试仪，筛选出步骤四得到的光探测器半成品中对紫外光有光电响应的电极对，即得到基于二维功能材料制备柔性光探测器。该光探测器紫外光响

专利类型：发明专利

专利号：CN201210171108.8

专利申请（专利权）人：哈尔滨工业大学

专利发明（设计）人：胡平安;文振忠;张荣福;曹文武;杨彬;张甲;王晓娜;王立峰;李晓超;李俊杰

主权项：一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，其特征在于基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法按以下步骤进行：一、利用管式炉高温反应合成出半导体材料单晶硒化镓或单晶硫化镓；二、用思高胶带在步骤一制备的半导体材料表面粘贴——剥离5～50次，得到粘附在思高胶带上的二维结构半导体材料；三、将聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜基底清洗后，将步骤二获得的粘附有二维结构半导体材料的思高胶带粘在聚对苯二甲酸类塑料基底上，轻压排去胶带和基底间的气泡，静置1～10分钟后撕去思高胶带，用乙醇清洗基底除去残留的胶印，干燥后得到复合二维结构

专利地区：黑龙江