新结构碲化银晶体及其制备方法专利登记公告

专利名称：新结构碲化银晶体及其制备方法

摘要：本发明公开了一种新结构Ag2Te的制备方法，包括如下步骤：1）在常压下制备出单斜相的Ag2Te晶体；2）将单斜相的Ag2Te晶体置于压力为2~10GPa下进行超高压压制，得到正交相的Ag2Te晶体。本发明还公开了一种新结构Ag2Te晶体，该晶体为正交相结构，晶体的空间群为Immm，晶格常数为本发明还公开了一种新结构Ag2Te晶体，该晶体为坍塌的正交相结构，晶体的空间群为Immm，晶格常数为本发明的正交相Ag2Te晶体与常压下制备的Ag2Te晶体结构相比较，其结构紧凑，对称性提高，配位数增加。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210150810.6

专利申请（专利权）人：中国科学院物理研究所

专利发明（设计）人：朱洁;刘青清;靳常青

主权项：一种新结构Ag2Te的制备方法，包括如下步骤：1）在常压下制备出单斜相的Ag2Te晶体；2）将单斜相的Ag2Te晶体置于压力为2~10GPa下进行超高压压制，得到正交相的Ag2Te晶体。

专利地区：北京