一种低温固相反应制备Cu₂Se热电材料的方法专利登记公告

专利名称：一种低温固相反应制备Cu₂Se热电材料的方法

摘要：本发明涉及一种Cu2Se热电材料的制备方法。一种低温固相反应制备Cu2Se热电材料的方法，其特征在于它包括如下步骤：1）以Cu粉、Se粉为原料，按Cu粉和Se粉摩尔比为2:1，称取Cu粉和Se粉混合均匀，得到混合粉体；2）将混合粉体在压片机上压成块体，将块体置于石墨坩埚内，抽真空并密封于石英玻璃管中，再置于马弗炉中650～750℃固相反应12～24h，将所得产物研磨成粉末；3）将步骤2）所得粉末进行放电等离子体烧结，得到致密块体，即为Cu2Se热电材料。本发明原料成本低廉，反应温度低，节省能源，并且按照C

专利类型：发明专利

专利号：CN201210165497.3

专利申请（专利权）人：武汉理工大学

专利发明（设计）人：唐新峰;吴优;谢文杰

主权项：一种低温固相反应制备Cu2Se热电材料的方法，其特征在于，它包括如下步骤：1）以Cu粉、Se粉为原料，按Cu粉和Se粉摩尔比为2:1，称取Cu粉和Se粉，将两者混合均匀，得到混合粉体；2）将混合粉体在压片机上压成块体，将块体置于石墨坩埚内，抽真空并密封于石英玻璃管中，再置于马弗炉中650～750℃固相反应12～24h，将所得产物研磨成粉末；3）将步骤2）所得粉末进行放电等离子体烧结，得到致密块体，即为Cu2Se热电材料。

专利地区：湖北