单细胞阵列微芯片及其制造、电测量和电穿孔方法专利登记公告

专利名称：单细胞阵列微芯片及其制造、电测量和电穿孔方法

摘要：本发明公开了一种单细胞阵列电测量微芯片，包括基底、阵列式的多个定位微电极、阵列式的多个电测量微电极对和样品池微腔体，本发明还公开了单细胞阵列电测量微芯片的制造方法、以及利用该微芯片对细胞进行电测量和电穿孔的方法。本发明将细胞定位与细胞电测量和电穿孔相结合，采用无标记、无损伤的微操纵、定位和参数测量分析技术，实现单细胞阵列、多模式的原位在线测量和分析；由于定位后的细胞位置固定，可有效提高细胞的电学检测精度，并可提升细胞的电穿孔效率、降低细胞死亡率。本发明还将自动化控制技术引入细胞微操纵和电测量中，通过电测量

专利类型：发明专利

专利号：CN201210152137.X

专利申请（专利权）人：清华大学

专利发明（设计）人：朱荣;郭霄亮

主权项：一种单细胞阵列微芯片，其特征在于，包括基底(1)、阵列式的多个定位微电极(2)、阵列式的多个电测量微电极对(3)和样品池微腔体(4)，其中，每相邻的四个定位微电极(2)构成一个排列呈菱形的定位单元；所述阵列式的多个定位微电极(2)中的每一行定位微电极(2)通过横向电极连线(5)连接，或者，所述阵列式的多个定位微电极(2)中，每个排列呈菱形的定位单元中的两个相对的定位微电极(2)分别通过横向电极连线(5)和纵向电极连线(6)与相邻定位单元中的定位微电极(2)连接；所述定位单元的中心位置分布有一电测量微电极对

专利地区：北京