一种基于纳米软印刷技术批量制备石墨烯气体传感器的方法专利登记公告

专利名称：一种基于纳米软印刷技术批量制备石墨烯气体传感器的方法

摘要：一种基于纳米软印刷技术批量制备石墨烯气体传感器的方法，属于石墨烯传感器的制备领域。为了解决现有技术制备的石墨烯传感器制备技术存在石墨烯形状与尺寸难以控制、制成的石墨烯传感器性能不一致，且不利于微纳米级石墨烯传感器集成的问题，本发明的操作步骤如下：一、石墨烯薄膜的制备；二、制备规则形状的石墨烯（包括还原氧化石墨烯和CVD石墨烯两种不同方法制备的石墨烯）；三、石墨烯的改性；四、批量石墨烯气体传感器的制备。本发明主要用于批量制备石墨烯气体传感器。该方法充分发挥了纳米软光刻技术与二维材料石墨烯的二者的优点，并且制

专利类型：发明专利

专利号：CN201210161361.5

专利申请（专利权）人：哈尔滨工业大学

专利发明（设计）人：胡平安;张荣福;文振忠;张甲;王小娜;王立锋;李俊杰;李晓超

主权项：一种基于纳米软印刷技术批量制备石墨烯气体传感器的方法，其特征在于所述方法是按以下步骤完成的：一、石墨烯薄膜的制备：氧化石墨烯薄膜的制备：将氧化石墨烯制成浓度为0.0001~0.0005g/ml的悬浮液，然后在清洗过的带有氧化膜的硅片上滴加一层氧化石墨烯悬浮液，将硅片在30~90℃温度下干燥10min~1h；二、制备规则形状的石墨烯：①、待步骤一中硅片上的氧化石墨烯干燥后在其表面旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯，旋涂转速为2000~12000r/min；②、将①中旋涂聚甲基丙烯酸甲酯后的硅片放在热台上加热并用带状聚

专利地区：黑龙江