一种双面冷却的功率半导体模块专利登记公告

专利名称：一种双面冷却的功率半导体模块

摘要：一种双面冷却的功率半导体模块。所述的功率半导体模块（100）含有至少两个功率半导体芯片（107、106），其位于第一衬底（115）和第二衬底（103）之间。每个衬底均由三层结构组成：中间一层为高导热的电绝缘层，电绝缘层的上层和下层为金属层。所述的金属层含有电路结构，通过焊接实现功率半导体芯片、正极端子、负极端子、交流输出端子和栅极控制端子之间的互联。功率半导体芯片的栅极控制端子位于该芯片的中间或边角处。一块凹形冷却板倒扣安装在第一衬底（115）上的绝缘层（117）或第一金属层（215a）上，另一块平板状冷

专利类型：发明专利

专利号：CN201210153042.X

专利申请（专利权）人：中国科学院电工研究所

专利发明（设计）人：钟玉林;苏伟;孟金磊;温旭辉

主权项：一种双面冷却的功率半导体模块，其特征在于，所述的功率半导体模块（100）由功率半导体芯片（106、107）、衬底（103、115）、冷却板（101、112）、正极端子（121）、负极端子（123）、交流输出端子（122）、栅极引出端子（118），以及发射极引出端子（119）组成；功率半导体模块至少包括两个功率半导体芯片（106、107）；所述的功率半导体芯片（106、107）位于第一衬底（115）和第二衬底（103）之间；第一衬底（115）和第二衬底（103）均包含三层结构：中间一层为电绝缘层，电绝缘层的

专利地区：北京