制备砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的方法专利登记公告
专利名称：制备砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的方法
摘要：一种制备砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依次生长n+型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤2：在本征GaAs缓冲层上生长多周期的量子点结构；步骤3：在多周期的量子点结构上依次生长本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层和p+型Al0.8Ga0.2As层；步骤4：在p+型Al0.8Ga0.2As层上蒸发上金属电极；步骤5：刻蚀上金属电极，使上金属电极形成网状；步骤6：在网状上金属电极上及裸露的p+型Al0.8Ga0.2As层上生长减反层；步骤7：剥离掉覆盖在上金属
专利类型：发明专利
专利号：CN201210153189.9
专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
专利发明（设计）人：杨晓光;杨涛
主权项：一种制备砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依次生长n+型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤2：在本征GaAs缓冲层上生长多周期的量子点结构；步骤3：在多周期的量子点结构上依次生长本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层和p+型Al0.8Ga0.2As层；步骤4：在p+型Al0.8Ga0.2As层上蒸发上金属电极；步骤5：刻蚀上金属电极，使上金属电极形成网状；步骤6：在网状上金属电极上及裸露的p+型Al0.8Ga0.2As层上生长减反层；步骤7：剥离掉覆盖在上金属
专利地区：北京
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