双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法专利登记公告

专利名称：双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法

摘要：本发明公开了一种双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)开孔；(2)清洗、制绒；(3)采用离子注入的方法在硅片的正面和孔内注入第一掺杂原子；第一掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相反；(4)在硅片背面的孔的周围区域注入第一掺杂原子；(5)采用离子注入的方法在硅片背面的非孔周围区域注入第二掺杂原子；第二掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相同；(6)将硅片放入清洗液中，去除硅片正面和背面的表层原子；(7)热氧化、退火；(8)设置减反射膜；(9)设置孔金属电极；印刷，烧结。本发明采用离子注入的方法，较

专利类型：发明专利

专利号：CN201210166621.8

专利申请（专利权）人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司

专利发明（设计）人：殷涵玉;王登志;王栩生;章灵军

主权项：一种双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)?在硅片上开孔；(2)?清洗硅片表面，去除损伤层，在硅片的正面和背面进行制绒；(3)?采用离子注入的方法在硅片的正面和孔内注入第一掺杂原子，形成第一掺杂层；所述第一掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相反；(4)?采用离子注入的方法在硅片背面的孔的周围区域注入第一掺杂原子，第一掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相反；(5)?采用离子注入的方法在硅片背面的非孔周围区域注入第二掺杂原子，形成第二掺杂层；所述第二掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相同；

专利地区：江苏