N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法专利登记公告

专利名称：N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法

摘要：本发明公开了一种N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗、制绒；(2)在硅片背面进行局部磷掺杂；(3)在硅片的正面进行硼扩散；(4)刻蚀周边结；(5)对硅片的正面和背面或硅片的正面进行钝化；(6)对硅片的正面和背面设置减反射膜；(7)在硅片上开孔；(8)在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结，即可得到N型晶体硅双面背接触太阳电池。本发明在硅片背面进行局部磷掺杂，硅片背面的非磷掺杂区域为硅片上待开孔的孔的周围区域，由其制得的太阳能电池不存在扩散制结处的短路和漏电的问题，取得了显

专利类型：发明专利

专利号：CN201210166622.2

专利申请（专利权）人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司

专利发明（设计）人：杨智;王栩生;章灵军

主权项：一种N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)?清洗硅片表面，去除损伤层，在硅片的正面和背面进行制绒；(2)?在硅片背面进行局部磷掺杂，在硅片背面形成磷扩散层；硅片背面的非磷掺杂区域为硅片上待开孔的孔的周围区域；(3)?在硅片的正面进行硼扩散，在硅片正面形成硼扩散层；(4)?刻蚀周边结，去除硅片表面的杂质玻璃，清洗硅片表面；(5)?对硅片的正面和背面或硅片的正面进行钝化；(6)?对硅片的正面和背面设置减反射膜；(7)?在硅片上开孔；(8)?在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电

专利地区：江苏