双面背接触太阳能电池的制备方法专利登记公告

专利名称：双面背接触太阳能电池的制备方法

摘要：本发明公开了一种双面背接触太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗、制绒；(2)扩散，在硅片背面形成第一扩散层；(3)在硅片的正面和背面制备阻挡膜；(4)在硅片的背面的部分区域进行开窗，去除所述阻挡膜；(5)将硅片放入碱液中，腐蚀去除所述部分区域的第一扩散层；(6)去除硅片正面的阻挡膜；(7)开孔；(8)扩散，在硅片正面、孔内及背面开窗区域形成第二扩散层；(9)刻蚀；去除阻挡膜，清洗；(10)设置钝化减反射膜；(11)设置金属电极；烧结。本发明在硅片的正面和背面制备了阻挡膜，再配合采用开窗、腐蚀的方

专利类型：发明专利

专利号：CN201210166623.7

专利申请（专利权）人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司

专利发明（设计）人：殷涵玉;王登志;王栩生;章灵军

主权项：一种双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)?清洗硅片表面，去除损伤层，在硅片的正面和背面进行制绒；(2)?硅片背靠背进行单面扩散，硅片的背面为扩散面，在硅片背面形成第一扩散层；(3)?在硅片的正面和背面制备阻挡膜；(4)?在硅片的背面的部分区域进行开窗，去除所述阻挡膜；所述部分区域为硅片上待开孔的孔的周围区域；(5)?将步骤(4)得到的硅片放入碱液中，腐蚀去除所述部分区域的第一扩散层；(6)?去除硅片正面的阻挡膜；(7)?在硅片上开孔；清洗硅片表面；(8)?将步骤(7)得到的硅片

专利地区：江苏