一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法专利登记公告

专利名称：一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法

摘要：本发明公开了一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)制绒；(2)在硅片背面的通孔方块区域设置阻挡层；所述阻挡层为二氧化硅乳胶，采用丝网印刷或喷墨的方法进行设置；所述硅片背面的通孔方块区域包括硅片背面的孔及孔的周围区域；(3)在硅片的背面进行扩磷；(4)开孔；(5)刻蚀周边结、清洗；(6)在硅片的正面和孔内进行扩硼；(7)刻蚀；(8)设置钝化减反射膜；(9)在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结；即可得到N型双面背接触晶体硅太阳能电池。本发明解决了背面通孔方块区域不能掺磷的问

专利类型：发明专利

专利号：CN201210166624.1

专利申请（专利权）人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司

专利发明（设计）人：王登志;殷涵玉;王栩生;章灵军

主权项：一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)?在N型硅片的正面和背面进行制绒；(2)?在硅片背面的通孔方块区域设置阻挡层；所述阻挡层为二氧化硅乳胶，采用丝网印刷或喷墨的方法进行设置；所述硅片背面的通孔方块区域包括硅片背面的孔及孔的周围区域；(3)?在硅片的背面进行扩磷，形成扩磷层；(4)?在硅片上开孔；(5)?刻蚀周边结、去除硅片背面的阻挡层、清洗；(6)?在硅片的正面和孔内进行扩硼，形成扩硼层；(7)?刻蚀周边结；去除硅片表面的杂质玻璃；(8)?在硅片的正面和背面设置钝

专利地区：江苏