一种N型双面背接触太阳能电池的制备方法专利登记公告

专利名称：一种N型双面背接触太阳能电池的制备方法

摘要：本发明公开了一种N型双面背接触太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)在N型硅片的正面和背面进行制绒；(2)在硅片的背面进行扩磷，形成扩磷层；(3)在硅片上开孔；(4)对硅片的正面和孔内进行扩硼，形成扩硼层；(5)刻蚀周边结；去除硅片的杂质玻璃；(6)在硅片背面的孔的周围区域进行反型掺杂，形成反型掺杂层；(7)在硅片的正面和背面设置钝化减反射膜；(8)在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结；(9)在硅片背面设置隔断槽，使所述扩磷层和反型掺杂层处形成的PN结相互绝缘；即可得到N型双面背接触太阳能电池

专利类型：发明专利

专利号：CN201210166783.1

专利申请（专利权）人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司

专利发明（设计）人：王栩生;章灵军

主权项：一种N型双面背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)?在N型硅片的正面和背面进行制绒；(2)?在硅片的背面进行扩磷，形成扩磷层；(3)?在硅片上开孔；(4)?在硅片的正面和孔内进行扩硼，形成扩硼层；(5)?刻蚀周边结；去除硅片的杂质玻璃；(6)?在硅片背面的孔的周围区域进行反型掺杂，形成反型掺杂层；(7)?在硅片的正面和背面设置钝化减反射膜；(8)?在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结；(9)?在硅片背面设置隔断槽，使所述扩磷层和反型掺杂层处形成的PN结相互绝缘；即可得到N型双

专利地区：江苏