波导型表面等离子体共振传感器芯片的制作方法专利登记公告

专利名称：波导型表面等离子体共振传感器芯片的制作方法

摘要：本发明提供一种波导型等离子体共振传感器芯片的制作方法，包括以下步骤：制备带有图案的凸膜及金属墨水；使用纳米压印法将所述凸膜的图案压印到柔性衬底上，使所述柔性衬底上形成与所述图案对应的凹槽；将所述金属墨水在所述凹槽内印刷制膜。本发明方法适用于波导型等离子体共振传感器芯片的制作，且该方法工艺简单，能大面积、大规模、低成本地生产上述传感器芯片，有能力解决传感器芯片的制备需求，很好地满足目前的实际需要。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210153737.8

专利申请（专利权）人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

专利发明（设计）人：潘革波;李岩;肖燕

主权项：一种波导型表面等离子体共振传感器芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：Ⅰ、准备带有图案的凸膜、金属墨水、波导墨水；Ⅱ、使用纳米压印法将所述凸膜的图案压印到柔性衬底（1）上，使所述柔性衬底（1）上形成与所述图案对应的凹槽（2）；Ⅲ、将所述波导墨水印刷在所述凹槽（2）内，退火处理后形成波导层（3）；Ⅳ、将所述金属墨水在所述印刷在所述波导层（3）表面，退火处理后形成金属膜（4）。

专利地区：江苏